AIXTRON erhält ersten Auftrag für kombinierte ALD und AVD® Technologien
-
Die Installation der Anlage wird im dritten Quartal 2006 beginnen
AIXTRON AG gibt den Auftrag eines asiatischen Herstellers für Speicherbausteine für die erste Anlage bekannt, die die Genus 300 mm StrataGem Atomic Layer Deposition (ALD) und die Atomic Vapor Deposition (AVD®) Technologien kombiniert.
Dieser Auftrag ist nach Unternehmensangaben ein entscheidender Schritt für die nächste Generation von Systemlösungen für die Massenproduktion von High-K Dielektrika in DRAM Kondensatoren unter 45nm. Die DRAM-Technologie ist nach wie vor eine treibende Kraft in der Entwicklung der Genus Prozesstechnologie und der Produktionsanlagen.
Die Installation der Anlage wird im dritten Quartal 2006 beginnen; der Umsatz wird in der zweiten Hälfte von 2006 gebucht. Ein Jahr nach der Fusion von AIXTRON und Genus profitiert das Unternehmen weiterhin von seiner Stärke im Bereich der Produktentwicklung.
Die ALD und AVD® Technologie haben weiteren Angaben zufolge bereits bewiesen, dass sie viele der bestehenden Grenzen der Beschichtungstechniken überwinden können. Die Prozessmodule mit kombinierter ALD und AVD® Technologie, die in das vom Kunden eigens für die 300 mm Forschung gebaute Werk installiert werden, sind die treibende Kraft zum Einstieg in die Massenproduktion der Halbleiterindustrie. Dr. William W.R. Elder, Mitglied des AIXTRON Vorstands und verantwortlich für AIXTRONs Siliziumgeschäft erklärt: ´Viele Hauptkunden der Genus-Produkte sind große Chiphersteller im Speichersegment (DRAM und FLASH) der Halbleiterindustrie. Die Prozessmodule basieren auf einem patentierten Kammerkonzept und sind führend in der Beschichtung von Wolframsilizid (WSix) und High-K Materialien, die hauptsächlich in Speichern und Kondensatoren Anwendung finden. Mit ALD, AVD® und der Wolframsilizid-CVD-Plattform können wir unseren Kunden ein vollständiges und umfassendes Portfolio an Halbleiterprozesstechnologien bieten.´
