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PVA TePla: Erfolg bei der Produktion von Solar-Wafern aus Foliensilizium
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Neue "Multigeneration" Kristallzucht-Anlage wurde erfolgreich getestet
Ein - nach Angaben der PVA TePla AG - großartiger Entwicklungserfolg ist der SCHOTT Solar GmbH, Alzenau, in Zusammenarbeit mit der Crystal Growing Systems GmbH (CGS), Aßlar, gelungen. Eine neue "Multigeneration" Kristallzucht-Anlage wurde erfolgreich getestet. In dieser Anlage werden wahlweise 12-eckige Rohre aus Foliensilizium mit einer Kantenlänge von 125 mm oder 9-eckige Rohre mit einer Kantenlänge von 156 mm gezogen. Die nur knapp 0,3 mm dünnen und sieben Meter langen Rohre werden dann zu ent-sprechenden Silizium-Wafern für die PV Solarstromindustrie verarbeitet.
Für den CGS-Kunden SCHOTT Solar bieten sich durch diese Fortentwicklung zwei große Vorteile bei der Herstellung von Foliensilizium im so genannten EFG (Edge Defined Film Fed Growth)- Verfahren. Zum einen ergibt sich bei gleicher Prozessdauer durch den vergrößerten Rohrumfang mit 12 Seitenflächen (Dodekagon) anstelle der bisherigen acht Seitenflächen (Octagon) eine sehr deutliche Produktivitätssteigerung. Zum anderen ist die Homogenität der Wanddicke der gezogenen Siliziumrohre erheblich besser, wodurch die Menge des eingesetzten Siliziums pro Wafer weiter reduziert werden kann.
Dieses von SCHOTT Solar realisierte Projekt wurde vom BMU (Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz und Reaktorsicherheit) gefördert. Die CGS GmbH hat im Auftrag der SCHOTT Solar die Anlagentechnik entwickelt und die Prozessführung in enger Zusammenarbeit mit SCHOTT Solar begleitet und unterstützt.
Das EFG-Verfahren bietet den Kunden gegenüber anderen Verfahren erhebliche Wettbewerbsvorteile. So müssen die Siliziumrohre nicht wie die Siliziumblöcke anderer Verfahren mit hohem Materialverlust zersägt werden, sondern werden lediglich an den Kanten mit Hilfe eines Lasers getrennt. Im Zuge der herrschenden Rohsiliziumknappheit stellt dies für den Kunden einen erheblichen Kosten- und somit Wettbewerbsvorteil dar. Pro erzeugte Watt-Zellleistung kommt man somit auf den geringsten Siliziumeinsatz aller Herstellverfahren für Solar-Silizium-Wafer.
